氮化镓研发PIE - 重庆万国半导体科技有限公司

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工作内容
参与GaN HEMT全流程工艺整合与优化，协助新工艺开发、流片管理、WAT/CP分析、良率提升及失效分析。
任职资格
硕士及以上，微电子、半导体物理、材料等相关专业；有半导体PIE/Device实习经验优先；熟悉GaN器件物理、WAT/SPC/FMEA及FIB/SEM/TEM表征。

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